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而这批技术的最新时间点是1994年的。
按照这个时间线以及瓦森纳协定的精神,1993年问世的0.35微米工艺,我们是完全可以在华国生产,而不用担心阿美莉卡的长臂管辖。”
他顿了顿,眼中闪过一丝精光,“而半年前,华国的技术水平还停留在1984年的1.25微米水平。
我们就算他们能采取跳跃式发展,也不可能在短短一年内完成1微米、0.8微米、0.6微米、0.35微米四代工艺的跨越。
说到这里,他哈哈大笑了起来,“更何况他们还在使用436nmg线光源,而且还是接触式路径。”
江尚义听后也露出了笑容。
这是他们曾经走过的老路,是再熟悉不过的。
接触式路径,掩模直接贴在硅片上进行光刻,不仅容易造成污染,而且掩模的使用寿命也相对较短。
后来的接近式光刻技术对此进行了改进,通过在掩模和硅片之间形成一层薄薄的气垫,使两者不再直接接触,提高了良率也提升了掩膜的寿命,这大大的降低了成本。
但气垫的存在,又会影响成像的精度,所以g线光源的最高制程也只能达到0.35微米工艺。
而g线光源的下一代是波长365nm的i线光源,其最高制程工艺可以达到0.25微米。
再往下发展,就必须采用第三代光源,即波长248nm的krf(氟化氪)准分子激光,它能够实现130nm的制程。
至于第四代光源,则是目前最先进的193nmarf(氟化氩)准分子激光。
按照林本坚的理论,这种光源通过浸入式技术,理论上可以将制程推进到22nm,甚至在孙元成根据davidmann公司的重复曝光理论推测,还能更低。
章忠谋耸了耸肩,语气中带着浓浓的不屑,“从g线到i线,我们用了整整16年的时间。
即便华国存在所谓的后发优势,他们也不可能在短短半年内就达到那样的技术水平。
况且,半导体产业是一个高度复杂的综合性产业,制造一颗芯片需要经过1000多个不同的流程,整个生产系统由上千个不同的部件组成,仅一个光刻机就包含了8万多个精密零件。
而这些零部件,他们大半都没法自产,到时候随便哪个环节卡他们一下,他们的光刻设备就出不来的。
所以,尚义,你说,在如此短的时间内,他们真的有可能达到0.35微米的工艺水平吗
只要他们没法在我投产之前,也就是一年后达到0.35微米的水平,且成本和我一致,那他们就没有机会了。
因为这是一个生意!
市场没道理放弃便宜的产品而去使用贵的道理,这完全不符合商业逻辑。
而我在国内建厂,拉着地方机关引进了国有资本,那就算讲政治逻辑,我们也不会被剔除出去的。
说实话,我还希望倒是他们讲政治的,我们有国资在里面,炎黄集团是民营,我看这局面他卿云又能怎么破!”
章忠谋的话语中透露出强烈的自信,让江尚义也不得不点头承认,他的担心是多余的。
“所以我们牢牢把控住0.35微米这个关键节点。
也就是说,不向他们提供248nmkrf氟化氪准分子激光光刻技术和配套工艺技术,我们只在内陆生产0.35微米制程以上的产品。
那么即便他们到时候窃取或强行占据了我们的设备和工艺,又能有什么实际用处呢”
眼神里闪过一抹狠辣,章忠谋呵呵冷笑着,“尚义,我的目标非常明确,就是要将0.8微米、0.6微米和0.35微米这三个制程的产品价格压到白菜价,利用我们庞大的规模和成本优势,彻底拖垮他们。
这个世界上没有比内地更低的产业生产成本了,只要牢牢的占据内地,我们可以在世界上立于不败之地。
而后,便是以待天时!只要我们还活着,什么都是有可能的!”
……
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